트랜스폼, 미국 국가안보기술가속기구로부터 1500만달러 계약 체결

이클립스 프로젝트, 고급 GaN 에피웨이퍼 재료의 생산 및 공급 구축을 목표로 기술 개발을 위해 트랜스폼과 반복 정부 계약 체결

2023-05-24 16:45 출처: Transphorm, Inc. (나스닥 TGAN)

골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--근본적으로 우수하고 양적으로 월등한 성능을 내는 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)이 오늘 국가안보기술가속기구(National Security Technology Accelerator, NSTXL)로부터 1500만달러의 계약을 따냈다고 발표했다. 이 계약은 트랜스폼이 고급 GaN 에피웨이퍼 제조를 위임받는 이클립스(ECLIPSE) 프로젝트를 위한 것이다. 이 프로젝트에 기여한다는 것은 고급 GaN 재료 부문과 MOCVD 제조 인프라에 대한 트랜스폼의 IP, 지식 및 전문성을 강조한다.

다양하고 획기적인 고전압 GaN 플랫폼의 GaN 에피웨이퍼 설계, 개발 및 생산에 대한 트랜스폼의 경험은 10년이 넘는다. 이러한 이니셔티브는 반도체 분야 선구자의 전력 및 RF GaN 비즈니스를 위한 여러 수직 분야를 구성한다.

트랜스폼의 CTO이자 공동 설립자인 우메쉬 미슈라(Umesh Mishra)는 “광범위한 응용 분야에서 고급 GaN 재료의 가치와 잠재력은 분명하다. 당사는 전력 변환 및 RF 애플리케이션에 적합한 기록적인 성능 및 효율성의 이점을 증명하는 여러 고전력 밀도 플랫폼을 개발해왔다”며 “이러한 유형의 혁신은 트랜스폼이 장치 및 제조 기능과 결합한 강력한 핵심 에피 재료의 다용성으로 부각될 수 있는 분야이다. 우리는 재료, 설계 및 프로세스와 같은 모든 GaN 기술 측면을 발전시키고 개선하기 위해 노력해왔다. 고급 GaN 에피웨이퍼 공급 능력을 강화하는 이클립스 프로그램의 강력한 실행을 기대한다”고 밝혔다.

계약 제안 프로세스는 국가안보기술가속기구(NSTXL)가 OTA(Other Transaction Agreement)로 관리했다.

트랜스폼 소개

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1,000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최대 규모의 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유하고 있는 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 고전압 GaN 반도체 장치를 생산하고 있다. 당사의 수직 통합 디바이스 비즈니스 모델은 설계, 제조, 디바이스 및 애플리케이션 지원에 이르는 모든 개발 단계에서 혁신을 촉진한다. 트랜스폼의 혁신 기술을 채택한 전력 전자 디바이스는 실리콘의 한계를 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성할 수 있다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에서 제조 시설을 운영하고 있다. 자세한 정보는 www.transphormusa.com 에서 확인하고, 트위터 @transphormusa, 위챗 @ Transphorm_GaN으로 팔로우할 수 있다.

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